حسین پارسیان

در این پایان نامه برای انباشت نانوذرات TiO2 بر روی سطح پارچه کربنی از روش های متفاوتی از جمله انباشت با بهم زدن سوسپانسیون آب دیونیزه و نانوذرهTiO2، سل-ژل، غوطه وری، هیدروترمال و سولوترمال استفاده گردید. کیفیت انباشت نانوذرات TiO2 بر سطح پارچه کربنی برای روش های گفته شده با میکروسکوپ الکترونی روبشی(SEM) مورد بررسی قرار گرفت. مشخص گردید روش سولوترمال از بقیه روش ها بهتر است . مشخصه یابی نمونه هایی که با استفاده از روش سولوترمال تهیه گردید با تکنیک های پراش اشعه ایکس(XRD)، طیف سنجی مادون قرمز(FT-IR) و بیناب نمایی پراش انرژی پرتو ایکس(EDX) مورد بررسی قرار گرفت. این مشخصه یابی ها تائید کننده نتایج میکروسکوپ الکترونی نمونه های تهیه شده با روش سولو ترمال است . در نهایت اثرگرما دهی و آب دوستی پارچه کربنی مرجع و پارچه کربنی که به روش های مختلف نانوذره TiO2روی آن انباشته شده در سه حالت مختلف از جمله تحت خلاء، نیتروژن و هوا مورد بررسی قرار گرفت

رادیوگرافی یکی از روش های کارآمد در شناسایی عیوب داخلی قطعات صنعتی و اشیا می باشد. در رادیوگرافی با پدیده های ذاتی پراکندگی اشعه ایکس و نویز های الکترونیکی روبرو هستیم که باعث مات شدگی تصویر می شوند. برای حذف این محوشدگی می توان از تجهیزات پیشرفته تر و یا پردازش تصاویر استفاده کرد. ارتقا سیستم مستلزم هزینه زیاد است ولی با پردازش تصویر میتوان به صورت اقتصادی به بهبود تصاویر دست یافت. در این تحقیق، از روش وردش برای حذف نویز تصاویر استفاده شده است. با توجه به اینکه در این فرآیند مقدار نویز مشخص نیست، از الگوریتم وردش برای به دست آوردن پس زمینه تصویر استفاده شده است. تفاضل تصویر اصلی از پس زمینه، تصویری با کنتراست بهتر در نواحی عیوب قطعات ایجاد کرده است. برای ارزیابی میزان بهبود از نظر کارشناسان متخصص در زمینه رادیوگرافی صنعتی استفاده شده است. کارشناسان، بهبود کیفیت تصاویر را برای 32 قطعه رادیوگرافی شده بین 73 تا 93 درصد تایید کرده اند.

در این پروژه نانوسیم های فلزی Bi و Tl و نانوسیم های بس لایه ای Bi/Tl درون حفره های قالب پلی کربنات با قطر nm100 به روش رسوب گذاری الکتروشیمیایی تهیه شدند. رسوب گذاری الکتروشیمیایی به صورت پتانسیواستات و با استفاده از سیستم سه الکترودی انجام شد. رشد نانوسیم های Bi ، Tl و نانوسیم های بس لایه ای Bi/Tl، به ترتیب با استفاده از الکترولیتی حاوی نمک Bi، نمک Tl و سیستم دو حمامی حاوی نمک های Bi و Tl انجام گردید. پتانسیل بهینه اعمالی جهت رشد نانوسیم های Bi و Tl به ترتیب V1/0- وV8/0- مورد استفاده قرار گرفت. نمودار جریان - زمان رشد دو مرحله ای نانوسیم ها شامل جوانه زنی در انتهای حفره ها و شروع رشد نانوسیم ها درون حفره ها را بر روی قالب پلی کربنات بیان می کند. همچنین نانوسیم ها با استفاده از طیف پراش اشعه ی ایکس (XRD)، میکروسکوپ های الکترونی روبشی (SEM) و عبوری (TEM)، انرژی پراکنده شده اشعه ی ایکس (EDX)، پس پراکندگی رادرفورد (RBS) و انتشار اشعه ی ایکس القایی (PIXE) مورد مطالعه و بررسی قرار گرفتند. طیف XRD نشان داد که ساختار کریستالی نانوسیم بیسموت، ساختار رمبوهدرال است و نانوسیم تالیم، دارای ساختار هگزاگونال می باشد. با توجه به تصاویر TEM، قطر میانگین نانوسیم ها تعیین شد. طول نانوسیم ها توسط آنالیز RBS و غلظت عناصر و درصد وزنی آنها توسط آنالیز PIXE مشخص شد.